О книге: Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов 2-е изд. испр.; Техносфера, 2011

от 1315 р. до 1459 р.

  • Издатель: Техносфера
  • ISBN: 978-5-94836-289-2
  • Книги: Автоматика, радиоэлектроника, связь
  • ID:1969424
Где купить

О книге


ПараметрЗначение
Автор(ы)
ИздательТехносфера
Год издания2011
Кол-во страниц800
СерияМир электроники
ПереплетТвердая глянцевая
Возрастные ограничения12
РазделРадиоэлектроника
ISBN978-5-94836-289-2
Количество страниц800
Формат17.6 x 24.7
Вес1200
Размеры17,60 см × 24,70 см × 3,60 см
ТематикаАвтоматика. Телемеханика
Обложкатвердый переплёт
Количество книг1
ИздательствоТехносфера
Оформление обложкилакировка
Возрастное ограничение16+
Жанрсовременная наука; техника
Тип обложкитвердая


Где купить (2)

Цена от 1315 р. до 1459 р. в 2 магазинах

МагазинЦенаНаличие
1315 р.
1651 р. -20% Минимальные сроки доставки. Кэшбэк до 6.1%
Промокоды на скидку

27.06.2025
1459 р.
Минимальная сумма заказа 100 рублей Крупнейшая сеть книжных магазинов Кэшбэк до 6.1%
Промокоды на скидку

27.06.2025
Avito доставка позволит получить любой товар, не выходя из дома

История цены

МагазинПоследняя известная ценаОбновлено
Лабиринт
1273 р.
21.11.2024
Читай-город
1459 р.
14.11.2024
Яндекс.Маркет
1777 р.
17.06.2024
МАЙШОП
773 р.
23.06.2024
OZON
749 р.
24.06.2024
Мегамаркет
1777 р.
03.09.2024

Предложения банков


Компания Предложение
Халва

Рассрочка 0% до 36 мес. Лимит кредитования - до 500 000 рублей. Снятие заемных средств в рассрочку на 3 мес. Кэшбэк до 10%

РОСБАНК

Cashback: - от 2 до 10% — на 2 выбранные категории - 1% — на остальные покупки в зависимости от общей суммы с начала месяца

Описание

В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий.Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.

Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов 2-е изд. испр. - фото №1

Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов 2-е изд. испр. - фото №2

Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов 2-е изд. испр. - фото №3

Смотри также о книге.

Отзывы (0)




Зарегистрируйтесь и получайте бонусы за покупки!


Книги: Электротехника. Электроника - издательство "Техносфера"

Категория 1052 р. - 1578 р.

Книги: Электротехника. Электроника

Категория 1052 р. - 1578 р.

закладки (0) сравнение (0)

14 ms