О книге: МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники; Техносфера, 2020

от 749 р. до 1260 р.

  • Издатель: Техносфера
  • ISBN: 978-5-94836-521-3
  • Книги: Техническая литература
  • ID:5922698
Где купить

О книге


ПараметрЗначение
Автор(ы)
ИздательТехносфера
Год издания2020
СерияМир материалов и технологий
Жанрфизика; химия
ИздательствоТехносфера
АвторАкчурин Рауф Хамзинович
Возрастное ограничение16+
Вес0.769
Количество книг1
Формат17.0 x 25.0 x 2
Оформление обложкиинтегральный переплет
Количество страниц488
Тип обложкитвердая
ISBN978-5-94836-521-3
Обложкатвердый переплёт
Кол-во страниц488
Размеры70x100/16
Язык изданияРусский


Где купить (4)

Цена от 749 р. до 1260 р. в 4 магазинах

МагазинЦенаНаличие
1260 р.
1533 р. -18% Минимальные сроки доставки. Кэшбэк до 6.1%
Промокоды на скидку

05.08.2025
749 р.
Электронная книга Кэшбэк до 6.5%

05.08.2025
1260 р.
1533 р. -18% Крупнейшая сеть книжных магазинов Кэшбэк до 6.1%
Промокоды на скидку

05.08.2025
1260 р.
1533 р. -18% Кэшбэк до 6.1%
Промокоды на скидку

05.08.2025

История цены

МагазинПоследняя известная ценаОбновлено
Лабиринт
1168 р.
29.07.2024
Мегамаркет
1323 р.
24.12.2024
Яндекс.Маркет
1499 р.
25.06.2024
МАЙШОП
710 р.
23.06.2024
OZON
980 р.
24.06.2024

Описание

В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ , затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники - фото №1

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники - фото №2

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники - фото №3

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники - фото №4

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники - фото №5

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники - фото №6

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники - фото №7

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники - фото №8

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники - фото №9

Смотри также о книге.

Отзывы (0)




Зарегистрируйтесь и получайте бонусы за покупки!


Книги: Химические науки - издательство "Техносфера"

Категория 599 р. - 898 р.

Книги: Химические науки

Категория 599 р. - 898 р.

закладки (0) сравнение (0)

26 ms