Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M MZ-V9P1T0BW

от 20622 р. до 24990 р.

Производитель: Samsung
Модель: MZ-V9P1T0BW
Тип товара: SSD Samsung
ID:12568933

Где купить

Рейтинг:

(0/5)

Отзывы (0) Оставить отзыв

Описание Характеристики Сравнить цены (2) Отзывы (0)

Где купить (2)

Цена от 20622 р. до 24990 р. в 2 магазинах

Магазин	Цена	Наличие
xcom-shop 5/5 ООО "М-Инвест" ИНН: 7743553167	20622 р. Кэшбэк до 9.2% ✔ Промокоды на скидку	✔ 13.01.2026

Ситилинк 5/5 ООО "Ситилинк" ИНН: 7718979307	24990 р.	✔ 13.01.2026

Яндекс.Маркет 5/5 ООО "ЯНДЕКС" ИНН: 7736207543	✔ Промокоды на скидку

AliExpress 5/5 ООО "АЛИБАБА.КОМ (РУ)" ИНН: 7703380158	Один из крупнейших мировых маркетплейсов, предлагающий клиентам самые низкие цены ✔ Промокоды на скидку

История цены
Магазин	Последняя известная цена	Обновлено
Корпорация "Центр"	15455 р.	29.07.2023
Холодильник	14890 р.	01.12.2025

Описание

Твердотельный накопитель обеспечивает потрясающую скорость работы и повышенную производительность по сравнению с механическими жесткими дисками. Он значительно повышает скорость работы вашего компьютера и в 10 раз быстрее, чем жесткий диск. Его надежность делает этот накопитель идеальным выбором для ноутбуков и других мобильных цифровых устройств.

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №1

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №2

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №3

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №4

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №5

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №6

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №7

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №8

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №9

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №10

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №11

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №12

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №13

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №14

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №15

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №16

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №17

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №18

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №19

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №20

Смотри также характеристики.

Характеристики

Параметр	Значение
Тип	SSD
Назначение	для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера, игровой
Форм-фактор	M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.3 мм
Ключ M.2 разъема	M
Поддержка NVMe	есть
Ёмкость	1000 GB
Ёмкость (после форматирования)	931.32 GB
Количество бит на ячейку	3 бит TLC
Структура памяти	3D NAND
Внешняя скорость передачи данных, до	7880 МБ/c
Максимальная скорость последовательного чтения	7450 МБ/c
Максимальная скорость последовательной записи	6900 МБ/c
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32)	1200000 IOPS
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32)	1550000 IOPS
Поддержка TRIM	есть
Аппаратное шифрование данных	Есть
Аппаратное шифрование	AES 256 бит
Поддержка S.M.A.R.T	Есть
Физический интерфейс	PCI-E
Версия PCI-E	4x Гбит/с
Ревизия PCI-E	4.0
Среднее время наработки на отказ (MTBF)	1500000 ч
Ударостойкость при работе	1500 G
Ударостойкость при хранении	1500 G
Максимальный ресурс записи (TBW)	600 ТБ
Радиатор в комплекте	Нет
Энергопотребление	15 Вт
Поддерживаемые ОС	Windows
Цвет	Черный
Температура эксплуатации	от 0 до 70 °С
Температура хранения	от -40 до 85 °С
Влажность эксплуатации	от 20 до 80 %
Влажность при хранении	от 10 до 90 %
Габариты	22 x 2.3 x 80 мм
Вес нетто	9 г
Емкость	1000 ГБ
Тип флэш-памяти	V-NAND 3-bit MLC
Игровой	да
Контроллер	Samsung
Линейка	990 Pro
Разъем M.2	есть
Тип PCI-E	PCI-E 4.0 x4
Скорость чтения	7450 МБ/с
Скорость записи	6900 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)	1550000 IOPS
Поддержка секторов размером 4 КБ	есть
Время наработки на отказ	1500000 ч
Суммарное число записываемых байтов (TBW)	600 ТБ
Шифрование данных	есть
Макс. рабочая температура	70 °C
Ширина	22 мм
Высота	2.3 мм
Длина	80 мм
Вес	9 г
Потребляемая мощность	5.4 Вт
EAN код	8806094215021
Емкость (Гб)	1000
Интерфейс	PCIe 4.0
Тип памяти	3D NAND TLC
Cкорость чтения (Мбайт/сек)	7450
Cкорость записи (Мбайт/сек)	6900
Объем накопителя	1024 ГБ
Скорости	чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с
TBW	600 ТБ
Особенности	для геймеров; для ПК/ноутбука; NVMe; TRIM; совместим с PS5
Форм-фактор (дюйм)	М.2 2280
Объем	1024 ГБ; интерфейс
Скорость	чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с
Ресурс	TBW 600 ТБ; время наработки
Память	тип NAND