Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M MZ-V9P1T0BW

от 11590 р. до 11750 р.

Производитель: Samsung
Модель: MZ-V9P1T0BW
Тип товара: SSD Samsung
ID:12568933

Где купить

Рейтинг:

(0/5)

Отзывы (0) Оставить отзыв

Описание Характеристики Сравнить цены (2) Отзывы (0)

Где купить (2)

Цена от 11590 р. до 11750 р. в 2 магазинах

Магазин	Цена	Наличие
xcom-shop 5/5 ООО "М-Инвест" ИНН: 7743553167	11750 р. Кэшбэк до 9.2% ✔ Промокоды на скидку	✔ 15.06.2025

Холодильник 5/5 ООО ЭДИЛ-ИМПОРТ ИНН: 7733510051	11590 р. Доставка 549 р. Кэшбэк до 1.2% ✔ Промокоды на скидку	✔ 15.06.2025

Яндекс.Маркет 5/5 ООО "ЯНДЕКС" ИНН: 7736207543	✔ Промокоды на скидку

AliExpress 5/5 ООО "АЛИБАБА.КОМ (РУ)" ИНН: 7703380158	Один из крупнейших мировых маркетплейсов, предлагающий клиентам самые низкие цены ✔ Промокоды на скидку

Avito 5/5 ООО КЕХ еКоммерц ИНН: 7710668349	Avito доставка позволит получить любой товар, не выходя из дома

История цены
Магазин	Последняя известная цена	Обновлено
Корпорация "Центр"	15455 р.	29.07.2023
Ситилинк	13990 р.	03.10.2024

Предложения банков

Компания	Предложение
Халва ПАО "СОВКОМБАНК" ИНН: 4401116480	Рассрочка 0% до 36 мес. Лимит кредитования - до 500 000 рублей. Снятие заемных средств в рассрочку на 3 мес. Кэшбэк до 10%
РОСБАНК	Cashback: - от 2 до 10% — на 2 выбранные категории - 1% — на остальные покупки в зависимости от общей суммы с начала месяца

Описание

Твердотельный накопитель обеспечивает потрясающую скорость работы и повышенную производительность по сравнению с механическими жесткими дисками. Он значительно повышает скорость работы вашего компьютера и в 10 раз быстрее, чем жесткий диск. Его надежность делает этот накопитель идеальным выбором для ноутбуков и других мобильных цифровых устройств.

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №1

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №2

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №3

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №4

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №5

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №6

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №7

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №8

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №9

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №10

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №11

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №12

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №13

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №14

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №15

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №16

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №17

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №18

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №19

Накопитель SSD M.2 2280 Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 V-NAND 3-bit MLC 7450/6900MB/s IOPS 1200K/1550K MTBF 1.5M - фото №20

Смотри также характеристики.

Характеристики

Параметр	Значение
Тип	SSD
Назначение	для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера, игровой
Форм-фактор	M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.3 мм
Ключ M.2 разъема	M
Поддержка NVMe	есть
Ёмкость	1000 GB
Ёмкость (после форматирования)	931.32 GB
Количество бит на ячейку	3 бит TLC
Структура памяти	3D NAND
Внешняя скорость передачи данных, до	7880 МБ/c
Максимальная скорость последовательного чтения	7450 МБ/c
Максимальная скорость последовательной записи	6900 МБ/c
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32)	1200000 IOPS
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32)	1550000 IOPS
Поддержка TRIM	есть
Аппаратное шифрование данных	Есть
Аппаратное шифрование	AES 256 бит
Поддержка S.M.A.R.T	Есть
Физический интерфейс	PCI-E
Версия PCI-E	4x Гбит/с
Ревизия PCI-E	4.0
Среднее время наработки на отказ (MTBF)	1500000 ч
Ударостойкость при работе	1500 G
Ударостойкость при хранении	1500 G
Максимальный ресурс записи (TBW)	600 ТБ
Радиатор в комплекте	Нет
Энергопотребление	15 Вт
Поддерживаемые ОС	Windows
Цвет	Черный
Температура эксплуатации	от 0 до 70 °С
Температура хранения	от -40 до 85 °С
Влажность эксплуатации	от 20 до 80 %
Влажность при хранении	от 10 до 90 %
Габариты	22 x 2.3 x 80 мм
Вес нетто	9 г
Емкость	1000 ГБ
Тип флэш-памяти	V-NAND 3-bit MLC
Игровой	да
Контроллер	Samsung
Линейка	990 Pro
Разъем M.2	есть
Тип PCI-E	PCI-E 4.0 x4
Скорость чтения	7450 МБ/с
Скорость записи	6900 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)	1550000 IOPS
Поддержка секторов размером 4 КБ	есть
Время наработки на отказ	1500000 ч
Суммарное число записываемых байтов (TBW)	600 ТБ
Шифрование данных	есть
Макс. рабочая температура	70 °C
Ширина	22 мм
Высота	2.3 мм
Длина	80 мм
Вес	9 г
Потребляемая мощность	5.4 Вт
EAN код	8806094215021
Емкость (Гб)	1000
Интерфейс	PCIe 4.0
Тип памяти	3D NAND TLC
Cкорость чтения (Мбайт/сек)	7450
Cкорость записи (Мбайт/сек)	6900
Объем накопителя	1024 ГБ
Скорости	чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с
TBW	600 ТБ
Особенности	для геймеров; для ПК/ноутбука; NVMe; TRIM; совместим с PS5
Форм-фактор (дюйм)	М.2 2280
Объем	1024 ГБ; интерфейс
Скорость	чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с
Ресурс	TBW 600 ТБ; время наработки
Память	тип NAND