Твердотельный накопитель Samsung MZWLR1T9HCJR-00A07

от 67868 р. до 72600 р.

Производитель: Samsung
Код производителя: MZWLR1T9HCJR-00A07
Тип товара: Жесткие диски
ID:12775296

Где купить

Рейтинг:

(0/5)

Отзывы (0) Оставить отзыв

Описание Характеристики Сравнить цены (3) Отзывы (0)

Где купить (3)

Цена от 67868 р. до 72600 р. в 3 магазинах

Магазин	Цена	Наличие
xcom-shop 5/5 ООО "М-Инвест" ИНН: 7743553167	67868 р. Кэшбэк до 9% ✔ Промокоды на скидку	✔ 03.05.2024

E2e4online 5/5 ООО «Открытые технологии» ИНН: 5405255422	72600 р. Интернет-магазин компьютерной и цифровой техники Кэшбэк до 4.8%	✔ 02.05.2024

OLDI 5/5 ЗАО "ОЛДИ ЛТД" ИНН: 7719044994	70620 р. Один из старейших интернет-магазинов электроники в рунете.	✔ 02.05.2024

Яндекс.Маркет 5/5 ООО "ЯНДЕКС" ИНН: 7736207543	У нас есть товары из IKEA ✔ Промокоды на скидку

Avito 5/5 ООО КЕХ еКоммерц ИНН: 7710668349	Avito доставка позволит получить любой товар, не выходя из дома

Предложения банков

Компания	Предложение
Альфа-Банк АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "АЛЬФА-БАНК" ИНН: 7728168971	Беспроцентный период - до 100 дней. Выпуск кредитной карты - бесплатно
Халва ПАО "СОВКОМБАНК" ИНН: 4401116480	Рассрочка 0% до 36 мес. Лимит кредитования - до 500 000 рублей. Снятие заемных средств в рассрочку на 3 мес. Кэшбэк до 10%

Описание

Смотри также характеристики.

Характеристики

Параметр	Значение
Форм-фактор	U.2
Интерфейс	PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Ёмкость накопителя, Гбайт	1920
Тип памяти	V-NAND
Скорость последовательного чтения, Мбайт/c	7500
Скорость последовательной записи, Мбайт/c	2500
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32), IOPS	100000
Средняя наработка на отказ, ч	2000000
TBW твердотельного накопителя, Тбайт	3504
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32), IOPS	1400000
Вес	0,2 кг
Тип	SSD
Назначение	Для сервера
Поддержка NVMe	Есть
Ёмкость	1920 GB
Количество бит на ячейку	3 бит TLC
Структура памяти	Samsung V-NAND
Максимальная скорость последовательного чтения	6800 МБ/c
Максимальная скорость последовательной записи	2700 МБ/c
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32)	850000 IOPS
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32)	130000 IOPS
Поддержка TRIM	Есть
Аппаратное шифрование данных	Есть
Аппаратное шифрование	AES 256 бит
Поддержка S.M.A.R.T	Есть
Физический интерфейс	PCI-E
Версия PCI-E	4 х
Ревизия PCI-E	4.0
Среднее время наработки на отказ (MTBF)	2000000 ч
Ударостойкость при работе	1500 G
Ударостойкость при хранении	1500 G
Максимальный ресурс записи (TBW)	3504 ТБ
Энергопотребление	12.5 Вт
Цвет	Черный
Температура эксплуатации	от 0 до 70 °С
Температура хранения	от -40 до 85 °С
Влажность эксплуатации	от 5 до 90 %
Влажность при хранении	от 5 до 95 %
Габариты	69.85 x 7 x 100.2 мм
Бренд	Samsung