Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов 2-е изд. испр.; Техносфера, 2011

от 749 р. до 1777 р.

Издатель: Техносфера
ISBN: 978-5-94836-289-2
EAN: 9785948362892
Книги: Автоматика, радиоэлектроника, связь
ID:1969424

Где купить

Рейтинг:

(0/5)

Отзывы (0) Оставить отзыв

Описание Характеристики Сравнить цены (7) Отзывы (0)

Где купить (7)

Цена от 749 р. до 1777 р. в 7 магазинах

Магазин	Цена	Наличие
Буквоед 5/5 ООО «Новый Книжный Центр» ИНН: 7710422909	1459 р. Минимальная сумма заказа 100 рублей Крупнейшая сеть книжных магазинов Кэшбэк до 6.3% ✔ Промокоды на скидку	✔ 02.07.2024

Лабиринт 5/5 ООО "ЛАБИРИНТ.РУ" ИНН: 7728644571	1273 р. Наличные, б/н, visa, qiwi, webmoney, я.деньги Заказ от 800 рублей мы привезем бесплатно! Кэшбэк до 7%	✔ 02.07.2024

book24 5/5 ООО «Новый Книжный Центр» ИНН: 7710422909	1459 р. Минимальные сроки доставки. Кэшбэк до 6.3% ✔ Промокоды на скидку	✔ 02.07.2024

Читай-город 5/5 ООО «Новый Книжный Центр» ИНН: 7710422909	1459 р. Кэшбэк до 6.3% ✔ Промокоды на скидку	✔ 02.07.2024

Яндекс.Маркет 5/5 ООО "ЯНДЕКС" ИНН: 7736207543	1777 р. Кэшбэк до 3.8% ✔ Промокоды на скидку	Наличие уточняйте 17.06.2024

МАЙШОП 5/5 ООО "МАГАЗИН КНИГ" ИНН: 9725076959	773 р. Один из первых книжных интернет-магазинов, работающий с 2002 года Кэшбэк до 6.5% ✔ Промокоды на скидку	Наличие уточняйте 23.06.2024

OZON 5/5 Информация о компании	749 р.	Наличие уточняйте 24.06.2024

Avito 5/5 ООО КЕХ еКоммерц ИНН: 7710668349	Avito доставка позволит получить любой товар, не выходя из дома

Описание

В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий.Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.

Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов 2-е изд. испр. - фото №1

Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов 2-е изд. испр. - фото №2

Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов 2-е изд. испр. - фото №3

Смотри также о книге.

О книге

Параметр	Значение
Автор(ы)	Красников Геннадий Яковлевич
Издатель	Техносфера
Год издания	2011
Кол-во страниц	800
Серия	Мир электроники
Переплет	Твердая глянцевая
Возрастные ограничения	12
Раздел	Радиоэлектроника
ISBN	978-5-94836-289-2
Количество страниц	800
Формат	176x247мм
Вес	1.20кг
Размеры	17,60 см × 24,70 см × 3,60 см
Тематика	Автоматика. Телемеханика
Обложка	твердый переплёт