Gigabyte GP-ASACNE2100TTTDR 1TB

от 18662 р. до 19497 р.

  • Производитель: Gigabyte
  • Код производителя: GP-ASACNE2100TTTDR
  • EAN: 4719331804947

  • Тип товара: Внутренний SSD накопитель
  • ID:5454159
Где купить

Где купить (3)

Цена от 18662 р. до 19497 р. в 3 магазинах

МагазинЦенаНаличие
18662 р.
Кэшбэк до 9%
Промокоды на скидку

Наличие уточняйте
27.09.2021
19210 р.
Один из старейших интернет-магазинов электроники в рунете.

Наличие уточняйте
29.07.2021
19497 р.

Наличие уточняйте
18.10.2021
Яндекс.Маркет
5/5
Промокоды на скидку
Avito доставка позволит получить любой товар, не выходя из дома

Описание

Смотри также характеристики.

Характеристики


ПараметрЗначение
ЦветСерый
БрендGigabyte
Гарантия производителя1 год
Страна производительКитай
Код производителяGP-ASACNE2100TTTDR
ЛинейкаAORUS
Форм-факторPCI-E
Тип флэш-памятиTLC, 3D NAND
КонтроллерToshiba BiCS3
Скорость чтения3480 Мб/сек
Скорость записи3080 Мб/сек
Время наработки на отказ1800000 ч
Объём1024 Гб
ИнтерфейсPCI-E x4
Размеры279 x 130 x 22 мм
Линейка для группировкиGIGABYTE 2GP-ASACNE2-TTDR
Артикул производителя (Part Number)GP-ASACNE2100TTTDR
Товар для геймеровДа
ТипSSD
НазначениеДля настольного компьютера
Ёмкость1000 GB
Ёмкость (после форматирования)930 GB
Объем буфера1024 MB
Тип памятиTLC 3D NAND
Внешняя скорость передачи данных, до3940 МБ/с
Максимальная скорость чтения3480 МБ/с
Максимальная скорость записи3080 МБ/с
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ)610000 IOPS
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ)530000 IOPS
РазъемыPCI-E
Версия PCI-E4x Гбит/с
Ревизия PCI-E3.0
Среднее время наработки на отказ (MTBF)1800000 ч
Температура эксплуатацииот 0 до +70°С
Температура храненияот -40 до +85°С °С
Влажность при эксплуатацииот 10 до 90%(без конденсации)
Влажность при храненииот 10 до 90%(без конденсации) %
Энергопотребление6.2 Вт Вт
Максимальное энергопотребление15 Вт
Сертифицирован для компьютерного конфигуратораДа
Сертифицирован для калькулятора мощностиДа
Участвует в Конфигураторе ПКДа
Количество для конфигуратора1
ИнструкцияGIGABYTE
Структура памятиTLC 3D NAND
Максимальная скорость последовательного чтения3480 МБ/c
Максимальная скорость последовательной записи3080 МБ/c
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32)610000 IOPS
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32)530000 IOPS
Физический интерфейсPCI-E
Влажность эксплуатацииот 10 до 90%(без конденсации) %


Отзывы (0)


Зарегистрируйтесь и получайте бонусы за покупки!


Носители информации Gigabyte

Категория 14929 р. - 22394 р.

Носители информации

Категория 14929 р. - 22394 р.

закладки (0) сравнение (0)

31 ms