Сравнить цены: Модуль памяти SODIMM DDR4 4GB Silicon Power PC4-21300 2666MHz CL19 1.2V SP004GBSFU266X02

Производитель: Silicon Power
Модель: SP004GBSFU266X02
Тип товара: Модули памяти SODIMM DDR4
ID:12570668

Где купить

Рейтинг:

(0/5)

Отзывы (0) Оставить отзыв

Описание Характеристики Цены Отзывы (0)

Где купить

Последняя известная цена от 1060 р. до 1983 р. в 5 магазинах

В данный момент у нас нет информации о наличии данного товара в магазинах.
Вы можете поискать его на других площадках:

Магазин	Цена	Наличие
AliExpress 5/5 ООО "АЛИБАБА.КОМ (РУ)" ИНН: 7703380158	Один из крупнейших мировых маркетплейсов, предлагающий клиентам самые низкие цены ✔ Промокоды на скидку

Avito 5/5 ООО КЕХ еКоммерц ИНН: 7710668349	Avito доставка позволит получить любой товар, не выходя из дома

История цены
Магазин	Последняя известная цена	Обновлено
123.ru	1060 р.	16.06.2025
xcom-shop	1070 р.	28.02.2025
Ситилинк	1390 р.	30.08.2024
Яндекс.Маркет	1983 р.	27.06.2024
Холодильник	1490 р.	22.02.2025

Предложения банков

Компания	Предложение
Халва ПАО "СОВКОМБАНК" ИНН: 4401116480	Рассрочка 0% до 36 мес. Лимит кредитования - до 500 000 рублей. Снятие заемных средств в рассрочку на 3 мес. Кэшбэк до 10%
РОСБАНК	Cashback: - от 2 до 10% — на 2 выбранные категории - 1% — на остальные покупки в зависимости от общей суммы с начала месяца

Описание

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR4, обладает емкостью 4 ГБ и 260-контактным модулем SODIMM. Предельная частота работы устройства достигает 2666 МГц, а пропускная способность – 21300 Мб/с.

Модуль памяти SODIMM DDR4 4GB Silicon Power PC4-21300 2666MHz CL19 1.2V - фото №1

Модуль памяти SODIMM DDR4 4GB Silicon Power PC4-21300 2666MHz CL19 1.2V - фото №2

Модуль памяти SODIMM DDR4 4GB Silicon Power PC4-21300 2666MHz CL19 1.2V - фото №3

Модуль памяти SODIMM DDR4 4GB Silicon Power PC4-21300 2666MHz CL19 1.2V - фото №4

Модуль памяти SODIMM DDR4 4GB Silicon Power PC4-21300 2666MHz CL19 1.2V - фото №5

Смотри также характеристики.

Характеристики

Параметр	Значение
Тип памяти	DDR4
Форм-фактор памяти	SODIMM
Объем одного модуля	4 ГБ
Количество модулей в комплекте	1 шт
Суммарный объем комплекта	4 ГБ
Эффективная частота	2666 МГц
Пропускная способность	21300 МБ/c
Поддержка ECC	Нет
Буферизованная (регистровая)	Нет
Количество контактов памяти	260
CAS Latency (CL)	19
Напряжение питания	1.2 В
Максимальная выделяемая мощность	1.5 Вт
Нормальная операционная температура	50 ºС
Расширенная операционная температура (Tcase)	85 ºС
Высота памяти	30 мм
Радиатор	Нет
Подсветка элементов платы	Нет
Бренд	Silicon Power
Название товара	Модуль оперативной памяти
Модель	SP004GBSFU266X02
Назначение	для ноутбука
Количество модулей памяти в комплекте	1 шт.
Тип модуля памяти	DDR4
Объём	4Gb
Объем одного модуля памяти	4Gb
Форм-фактор	SODIMM
Пропускная способность (Рабочая частота)	PC4-21300 2666MHz
Особенности	NON-ECC
Код вендора	SP004GBSFU266X02
Тайминги	19
Латентность	CL19
Питание	1.2 В
Охлаждение	Нет
Поставка	Retail
Объем	4 ГБ
Частота	2666 МГц
Тип поставки	Ret
Объем памяти (Гб)	4
Частотная спецификация (MHz)	2666
Цвет	черный