Сравнить цены: Kingston HyperX Impact 8Gb (2x4Gb) DDR4 SoDIMM (HX421S13IBK2/8)

Производитель: Kingston
Модель: HyperX Impact 8Gb (2x4Gb) DDR4 SoDIMM (HX421S13IBK2/8)
Код производителя: HX421S13IBK2/8
Тип товара: Оперативная память
ID:1310797

Где купить

Рейтинг:

(0/5)

Отзывы (0) Оставить отзыв

Описание Характеристики Цены Отзывы (0)

Где купить

Последняя известная цена от 6190 р. до 6345 р. в 2 магазинах

В данный момент у нас нет информации о наличии данного товара в магазинах.
Вы можете поискать его на других площадках:

Магазин	Цена	Наличие
Яндекс.Маркет 5/5 ООО "ЯНДЕКС" ИНН: 7736207543	✔ Промокоды на скидку

AliExpress 5/5 ООО "АЛИБАБА.КОМ (РУ)" ИНН: 7703380158	Один из крупнейших мировых маркетплейсов, предлагающий клиентам самые низкие цены ✔ Промокоды на скидку

Avito 5/5 ООО КЕХ еКоммерц ИНН: 7710668349	Avito доставка позволит получить любой товар, не выходя из дома

История цены
Магазин	Последняя известная цена	Обновлено
КЕЙ	6190 р.
MEGABiT	6345 р.

Описание

Модули памяти Kingston PC4-19200 DIMM DDR4 2133MHz CL13 объединили в себе последние достижения в технике, производительность, энергоэффективность и низкие значения тайминга. В сравнении с предыдущим поколением, оперативная память обладает повышенными частотными характеристиками и пониженным напряжением питания. Рассматриваемый комплект обеспечит высокую скорость обработки видео и трехмерной графики.

Откройте для себя новые возможности для компьютерных игр с помощью мощных модулей памяти HyperX Impact DDR4 SODIMM. XMP-совместимый модуль HyperX Impact DDR4 автоматически выполняет разгон до максимальной заявленной частоты без необходимости в регулировке системных настроек BIOS и поддерживает платформы, использующие технологии процессоров Intel. Превосходная производительность и низкое напряжение обеспечивают бесшумность и эффективность работы.

Ваш ноутбук или компактный ПК будут всегда оставаться на шаг впереди с помощью модулей памяти HyperX® Impact DDR4 SODIMM – установите настройки на максимум! Модули памяти оптимизированы под чипсеты Intel серии 100 и 200 и прошли испытания на совместимость с системными платами ведущих производителей. Они отличаются низкой латентностью, повышенной пропускной способностью для максимального увеличения производительности системы.

Смотри также характеристики.

Характеристики

Параметр	Значение
Тип памяти	DDR4
Форм-фактор	SODIMM 260-контактный
Тактовая частота	2133 МГц
Пропускная способность	17000 Мб/с
Объем	2 модуля по 4 Гб
Поддержка ECC	нет
Буферизованная (Registered)	нет
Низкопрофильная (Low Profile)	нет
CAS Latency (CL)	13
RAS to CAS Delay (tRCD)	13
Row Precharge Delay (tRP)	13
Количество чипов каждого модуля	8, двусторонняя упаковка
Напряжение питания	1.2 В
Количество ранков	1