О книге: Особенности явлений электронного переноса в анизотропных полупроводниках. Монография; Спутник+, 2015

359 р.

Издатель: Спутник+
ISBN: 978-5-9973-3592-2
Книги: Физические науки. Астрономия
ID:1764142

Рейтинг:

(5/5)

Описание Характеристики Сравнить цены (1) Отзывы (1)

О книге

Параметр	Значение
Автор(ы)	Филиппов Владимир Владимирович
Переплет	Мягкий переплёт
Издатель	Спутник+
Год издания	2015
Возрастные ограничения	12
Кол-во страниц	259
Страниц	259
Переплёт	мягкий
ISBN	978-5-9973-3592-2
Размеры	14,50 см × 20,50 см × 1,50 см
Формат	145x205мм
Тематика	Физика
Тираж	100
Раздел	Физические науки
Количество страниц	259
Вес	0.26кг

Где купить (1)

Цена от 359 р. до 359 р. в 1 магазинах

Магазин	Цена	Наличие
Буквоед 5/5 ООО «Новый Книжный Центр» ИНН: 7710422909	359 р. Минимальная сумма заказа 100 рублей Крупнейшая сеть книжных магазинов Кэшбэк до 6.1% ✔ Промокоды на скидку	✔ 21.06.2025

Avito 5/5 ООО КЕХ еКоммерц ИНН: 7710668349	Avito доставка позволит получить любой товар, не выходя из дома

История цены
Магазин	Последняя известная цена	Обновлено
Лабиринт	260 р.
book24	359 р.	24.10.2024
Читай-город	359 р.	23.10.2024
Яндекс.Маркет	1436 р.	17.06.2024

Описание

Получены выражения для распределения потенциала, позволившие исследовать особенности распределения электрического поля и протекания тока в средах с анизотропией проводимости. Изложены методы измерений удельной электропроводности, коэффициента Холла, подвижности и концентрации носителей заряда в анизотропных полупроводниковых материалах. Приводится анализ эффектов Холла и Гаусса в анизотропных полупроводниках. Рассмотрено моделирование физических свойств отдельных наноструктур электроники.

.Для научных работников, инженеров и аспирантов, занимающихся исследованием полупроводников, а также студентов старших курсов физических и инженерно-физических направлений подготовки.

Особенности явлений электронного переноса в анизотропных полупроводниках. Монография - фото №1

Смотри также о книге.

Отзывы (1)

Заворотний Анатолий — 4 Апреля 2016

5/5

Книга посвящена актуальным исследованиям в области метрики электрофизических параметров в анизотропных полупроводниковых структурах функциональной электроники. Ряд глав также посвящены моделированиям энергетического спектра и устойчивым состояниям структур наноэлектроники. Думаю ее по достоинству оценят те ученые и инженеры, которые работают с усовершенствованием и/или созданием новых полупроводниковых приборов.