Модуль памяти SODIMM DDR4 4GB Samsung UNB SODIMM 3200MHz 1Rx16, 1.2V M471A1G44CB0-CWE

2426 р.

Производитель: Samsung
Модель: M471A1G44CB0-CWE
Тип товара: Модули памяти SODIMM DDR4
ID:14603462

Где купить

Рейтинг:

(0/5)

Отзывы (0) Оставить отзыв

Описание Характеристики Сравнить цены (1) Отзывы (0)

Где купить (1)

Цена от 2426 р. до 2426 р. в 1 магазинах

Магазин	Цена	Наличие
xcom-shop 5/5 ООО "М-Инвест" ИНН: 7743553167	2426 р. Кэшбэк до 9% ✔ Промокоды на скидку	✔ 20.06.2024

Яндекс.Маркет 5/5 ООО "ЯНДЕКС" ИНН: 7736207543	✔ Промокоды на скидку

Avito 5/5 ООО КЕХ еКоммерц ИНН: 7710668349	Avito доставка позволит получить любой товар, не выходя из дома

История цены
Магазин	Последняя известная цена	Обновлено
E2e4online	2600 р.	20.06.2024
OLDI	2390 р.	20.06.2024

Предложения банков

Компания	Предложение
Альфа-Банк АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "АЛЬФА-БАНК" ИНН: 7728168971	Беспроцентный период - до 100 дней. Выпуск кредитной карты - бесплатно
Халва ПАО "СОВКОМБАНК" ИНН: 4401116480	Рассрочка 0% до 36 мес. Лимит кредитования - до 500 000 рублей. Снятие заемных средств в рассрочку на 3 мес. Кэшбэк до 10%

Описание

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR4, обладает емкостью 4 ГБ и 260-контактным модулем SODIMM. Предельная частота работы устройства достигает 3200 МГц, а пропускная способность – 25600 Мб/с.

Смотри также характеристики.

Характеристики

Параметр	Значение
Страна	Китай
Производитель	Samsung
Тип	DDR4
Форм-фактор	SODIMM
Комплектность	Память
Количество модулей в комплекте	1 шт
Объем одного модуля	4 ГБ
Общий объем памяти	8 Гб
Тактовая частота	3200 MHz
Напряжение питания	1.2 В
Место изготовления товара	КИТАЙ
Модель	M471A1G44CB0-CWE
Вес в упаковке	10 гр
Комплектация	Bulk (OEM)
Вес	0,3 кг
Тип памяти	DDR4
Форм-фактор памяти	SODIMM
Суммарный объем комплекта	4 ГБ
Эффективная частота	3200 МГц
Пропускная способность	25600 МБ/c
Поддержка ECC	Нет
Буферизованная (регистровая)	Нет
Количество контактов памяти	260
Количество ранков	1
CAS Latency (CL)	22
Максимальная выделяемая мощность	1.5 Вт
Нормальная операционная температура	50 ºС
Расширенная операционная температура (Tcase)	85 ºС
Высота памяти	30 мм
Радиатор	Нет
Подсветка элементов платы	Нет
Бренд	Samsung