Сравнить цены: Модуль памяти SODIMM DDR4 4GB Samsung UNB SODIMM 3200MHz 1Rx16, 1.2V M471A1G44CB0-CWE

3479 р.

Производитель: Samsung
Модель: M471A1G44CB0-CWE
Тип товара: Модули памяти SODIMM DDR4
ID:14603462

Где купить

Рейтинг:

(0/5)

Отзывы (0) Оставить отзыв

Описание Характеристики Сравнить цены (1) Отзывы (0)

Где купить (1)

Цена от 3479 р. до 3479 р. в 1 магазинах

Магазин	Цена	Наличие
xcom-shop 5/5 ООО "М-Инвест" ИНН: 7743553167	3479 р. Кэшбэк до 9.2% ✔ Промокоды на скидку	Наличие уточняйте 03.10.2025

Яндекс.Маркет 5/5 ООО "ЯНДЕКС" ИНН: 7736207543	3370 р. Кэшбэк до 3.8% ✔ Промокоды на скидку	Наличие уточняйте 02.11.2024

Яндекс.Маркет 5/5 ООО "ЯНДЕКС" ИНН: 7736207543	✔ Промокоды на скидку

AliExpress 5/5 ООО "АЛИБАБА.КОМ (РУ)" ИНН: 7703380158	Один из крупнейших мировых маркетплейсов, предлагающий клиентам самые низкие цены ✔ Промокоды на скидку

Avito 5/5 ООО КЕХ еКоммерц ИНН: 7710668349	Avito доставка позволит получить любой товар, не выходя из дома ✔ Промокоды на скидку

История цены
Магазин	Последняя известная цена	Обновлено
E2e4online	4050 р.	02.10.2025
OLDI	3910 р.	19.09.2025
Мегамаркет	5709 р.	24.12.2024
123.ru	2600 р.	07.10.2025
Холодильник	3690 р.	03.10.2025

Описание

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR4, обладает емкостью 4 ГБ и 260-контактным модулем SODIMM. Предельная частота работы устройства достигает 3200 МГц, а пропускная способность – 25600 Мб/с.

Модуль памяти SODIMM DDR4 4GB Samsung UNB SODIMM 3200MHz 1Rx16, 1.2V - фото №1

Смотри также характеристики.

Характеристики

Параметр	Значение
Страна	Китай
Производитель	Samsung
Тип	DDR4
Форм-фактор	SODIMM
Комплектность	Память
Количество модулей в комплекте	1
Объем одного модуля	8 Гб
Общий объем памяти	8 Гб
Тактовая частота	3200 MHz
Напряжение питания	1.2 В
Место изготовления товара	ВЬЕТНАМ
Модель	M471A1G44CB0-CWE
Вес в упаковке	8 г
Комплектация	Bulk (OEM)
Вес	0,05 кг
Тип памяти	DDR4
Форм-фактор памяти	SODIMM
Суммарный объем комплекта	4 ГБ
Эффективная частота	3200 МГц
Пропускная способность	25600
Поддержка ECC	Нет
Буферизованная (регистровая)	Нет
Количество контактов памяти	260
Количество ранков	1
CAS Latency (CL)	22
Максимальная выделяемая мощность	1.5 Вт
Нормальная операционная температура	50 ºС
Расширенная операционная температура (Tcase)	85 ºС
Высота памяти	30 мм
Радиатор	Нет
Подсветка элементов платы	Нет
Бренд	Samsung
Страна-производитель	Китай
Назначение	Для ноутбука
Название товара	Модуль оперативной памяти
Количество модулей памяти в комплекте	1
Тип модуля памяти	DDR4
Объём	8Gb
Объем одного модуля памяти	8
Пропускная способность (Рабочая частота)	PC4-25600 3200MHz
Код вендора	M471A1G44CB0-CWE
Охлаждение	Нет
Количество планок	Одна
Тактовая частота, МГц	3200
Объем	8
Частота работы	3200
Буферизация	Отсутствует
Наличие радиатора (Heatsink)	Нет
Подсветка	Отсутствует
Настройки в BIOS	Заявленные параметры устанавливаются вручную в BIOS
Габариты упаковки	11 см X 4 см X 0 см