Твердотельный накопитель SSD Samsung PCI-E x4 2Tb MZ-V7S2T0BW 970 EVO Plus M.2 2280

Производитель: Samsung
Модель: PCI-E x4 2Tb MZ-V7S2T0BW 970 EVO Plus M.2 2280
Тип товара: Твердотельный накопитель SSD
ID:6301698

Где купить

Рейтинг:

(0/5)

Отзывы (0) Оставить отзыв

Описание Характеристики Цены Отзывы (0)

Где купить

Последняя известная цена от 17890 р. до 19616 р. в 2 магазинах

В данный момент у нас нет информации о наличии данного товара в магазинах.
Вы можете поискать его на других площадках:

Магазин	Цена	Наличие
Яндекс.Маркет 5/5 ООО "ЯНДЕКС" ИНН: 7736207543	✔ Промокоды на скидку

AliExpress 5/5 ООО "АЛИБАБА.КОМ (РУ)" ИНН: 7703380158	Один из крупнейших мировых маркетплейсов, предлагающий клиентам самые низкие цены ✔ Промокоды на скидку

Avito 5/5 ООО КЕХ еКоммерц ИНН: 7710668349	Avito доставка позволит получить любой товар, не выходя из дома

История цены
Магазин	Последняя известная цена	Обновлено
Корпорация "Центр"	19616 р.	07.02.2024
Холодильник	17890 р.	10.04.2025

Описание

Смотри также характеристики.

Характеристики

Параметр	Значение
Емкость	2000 ГБ
Назначение	для ноутбука и настольного компьютера
Форм-фактор	2280
Тип флэш-памяти	TLC 3D NAND
Контроллер	Samsung Phoenix
Интерфейс SATA	нет
Разъем M.2	есть
Скорость чтения	3500 МБ/с
Скорость записи	3300 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)	560000 IOPS
Поддержка секторов размером 4 КБ	есть
Время наработки на отказ	1500000 ч
Ударостойкость при работе	1500 G
Поддержка TRIM	есть
Ударостойкость при хранении	1500 G
Шифрование данных	есть
Макс. рабочая температура	70° C
Ширина	22.15 мм
Высота	2.38 мм
Длина	80.15 мм
Вес	8 г
Потребляемая мощность	9 Вт
Комплект поставки	Твердотельный накопитель SSD, документация
EAN код	8801643628093
Цвет	8801643628093
Тип	SSD M.2 накопитель
Форм-фактор ()	М.2
Емкость (ТБ)	2
Интерфейс	PCIe 3.0
Пропускная способность интерфейса (Гбит/сек)	8
Размер буфера (МБ)	2048
Страна-производитель	Китай
Основные характеристики
Объем накопителя	2000 ГБ
Физический интерфейс	PCI-E 3.x x4
Ключ M.2 разъема	M
NVMe	есть
Конфигурация накопителя
Количество бит на ячейку	3 бит MLC (TLC)
Структура памяти	3D NAND
DRAM буфер	есть
Объем DRAM буфера	2048 МБ
Показатели производительности
Максимальная скорость последовательного чтения	3500 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательной записи	3300 Мбайт/сек
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32)	620000 IOPS
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32)	560000 IOPS
Надежность
Максимальный ресурс записи (TBW)	1200 ТБ
DWPD	0.33
Дополнительная информация
Радиатор в комплекте	нет
Энергопотребление	Средняя потребляемая мощность
Аппаратное шифрование данных	есть
Габариты и вес
Габариты	2.38х22х80 мм
Емкость (Гб)	2000
Форм-фактор (дюйм)	М.2 2280
Тип памяти	3D NAND
Cкорость чтения (Мбайт/сек)	3500
Cкорость записи (Мбайт/сек)	3300